韩媒报道，长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合DRAM的试点生产线，旨在无需使用EUV光刻技术即可实现高性能DRAM。
键合DRAM是一种技术，其中存储单元阵列和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后键合在一起。这种方法能够仅使用深紫外（DUV）光刻结合多重图案化技术生产超高密度DRAM，从而无需EUV设备。
一旦实现量产，将彻底打破三星和海力士在高端内存的垄断。
韩媒报道，长鑫存储（CXMT）目前正在合肥测试一条键合DRAM的试点生产线，旨在无需使用EUV光刻技术即可实现高性能DRAM。
键合DRAM是一种技术，其中存储单元阵列和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后键合在一起。这种方法能够仅使用深紫外（DUV）光刻结合多重图案化技术生产超高密度DRAM，从而无需EUV设备。
一旦实现量产，将彻底打破三星和海力士在高端内存的垄断。
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