**韩国存储巨头对3D IC态度谨慎，中国长鑫存储加速推进利基市场战略**

提升AI半导体性能的竞赛，正从制程节点的微缩转向通过垂直集成芯片来实现先进封装堆叠技术。随着将逻辑芯片与存储芯片集成于单一封装内的3D集成电路（3D IC）成为下一代AI半导体的关键技术，这一趋势愈发明显。当前，不仅英伟达（Nvidia）主导的通用AI芯片需求不断攀升，专用集成电路（ASIC）和推理芯片的需求也在增长，因此，根据客户个性化需求将存储与逻辑芯片进行集成的努力正不断加速。

据半导体业界24日消息，全球无晶圆厂（Fabless）企业和AI芯片制造商近期正积极探讨采用3D IC技术。其中，三星电子的晶圆代工业务据报正源源不断地收到相关咨询。

一位无晶圆厂行业人士表示：“当我们向三星晶圆代工部门询问3D IC的情况时，对方告诉我们，如今几乎每一位潜在客户都在咨询这项技术。”他补充道：“随着市场对差异化AI芯片的需求日益增长，业界对3D IC的兴趣正在迅速升温。”

然而，业界人士指出，新兴的3D IC市场在商业模式上与传统DRAM行业有着本质区别。特别是基于DRAM的3D IC，本质上是为满足特定客户需求而设计的定制DRAM，这与传统存储业务大规模生产标准化产品的模式截然不同。

一位半导体业界人士表示：“3D DRAM最终可以被视为定制DRAM。每位客户所需的存储配置和堆叠方式各不相同，这与大规模生产标准化产品的业务有着根本性的差异。”

该人士继续说道：“三星电子和SK海力士的核心商业模式建立在标准DRAM的大规模量产之上。如果仅为个别客户生产定制DRAM，从经济可行性来看可能并不划算。”

因此，业界预计三星电子和SK海力士将继续对3D IC技术进行前期研究，但在全面商业化方面会保持谨慎。尽管开展研发或进行新业务评估是可行的，但主流观点认为，这些努力很难扩展到调动整个业务部门的规模。

正因如此，业界观察人士认为，瞄准利基市场而非大规模量产的后发企业，可能会率先切入3D IC市场。

中国的长鑫存储（CXMT）就是一个典型代表。

受美国对华半导体限制影响，长鑫存储难以进入高带宽内存（HBM）市场，因此据报道，该公司正致力于掌握3D IC技术，将其作为下一代AI存储技术之一。分析师认为，长鑫存储选择避开在通用DRAM领域与三星电子和SK海力士正面交锋，转而瞄准定制存储市场。

另一位半导体业界人士表示：“中国已经率先研发出多款3D DRAM样品芯片，我们也在推进几个相关项目。展望未来，像长鑫存储和华邦电（Winbond）这样瞄准利基市场的企业，很可能会率先建立起这一市场。”