半导体板块重大利好，技术得到了关键突破，不再依赖EUV极紫外北方华创发布数据证明了不需要EUV极紫外，用DUV深紫外光刻机就可以完成整套路线。

传统平面DRAM想要继续提升密度，必须依靠EUV光刻机，而EUV完全被封锁。3D‑DRAM改变思路：不靠把线条越做越细，改用垂直堆叠，核心瓶颈转移到刻蚀设备，主要使用DUV即可。

北方华创这次实验室刻蚀工艺取得很好指标，意味着国内存储不是只有死磕平面微缩这一条独木桥，拿到一条换道追赶的技术路径。本次论文证明：国内设备厂商在3D‑DRAM最核心工艺环节，原理层面已经跑通。

如果这套工艺后续落地为成熟设备，长鑫就有机会依托国产设备推进3D‑DRAM研发，未来不用完全跟在海外后面走平面路线，构建自己的技术路线。

对于半导体的国产替代来说国内迈出了关键的一步，下周板块会有情绪性的上冲，但后续的持续性要看实质进展。