据彭博社报道，韩国产业通商部长金正官星期四（8月6日）在一场记者论坛上说：“最让我深感担忧的是中国。中国的发展速度超乎想象，这让我产生非常强烈的紧迫感。”
金正官预计，全球存储晶片市场规模将在2030年前扩大至约1万亿美元，投资速度将成为决定竞争成败的关键。半导体客户采用产品后通常不会轻易更换供应商，韩国不能在需求快速增长之际丢失市场份额。目前，韩国约占全球存储晶片市场的65%。
他特别提到，中国存储晶片制造商长鑫存储的投资额甚至超过全年营收。
金正官对扩大分配半导体行业利润的主张提出了强烈警告，他认为，试图瓜分芯片产业繁荣带来的收益，无异于“宰掉韩国最后一只会下金蛋的鹅”。这笔钱必须重新投入到产业发展中，而不是用来分配。
他批评了将员工激励机制与企业营业利润挂钩的做法，强调股东才是企业的所有者，其利益应被放在首位。“如果一家企业损害股东和投资者利益，还有谁愿意投资或成为它的股东？最终承担后果的，仍是企业管理层和员工。”

结合最新的行业数据和公开信息，长鑫存储（CXMT）对三星和SK海力士的威胁，可以概括为：在通用型存储（DRAM）赛道上，长鑫已从“追赶者”变为“同场竞技者”，对韩系巨头构成了实质性的市场份额与定价权威胁；但在代表未来的AI高带宽内存（HBM）领域，长鑫仍处于起步阶段，韩系巨头仍保持绝对领先。

长鑫存储的产能扩张速度极快，正在重塑全球DRAM的供给格局。截至2026年初，长鑫在合肥和北京拥有3座12英寸晶圆厂，月产能约30万片，稳居全球第四、中国第一。
预计到2026年底，其月产能将提升至约35万片，这一数字已经非常接近美光（约38.5万片），有望跻身全球第三。远期规划中，长鑫甚至在筹划到2028年底冲击月产50万片的目标。
长鑫的产能几乎全部用于通用型DRAM，且产能利用率长期保持在95%以上，这意味着它正在快速填补市场缺口，直接蚕食三星、SK海力士和美光在消费级和服务器通用内存市场的份额。

过去，国产存储通常落后国际巨头一代左右，但长鑫在最新一代产品上打破了这一规律。
移动端内存（LPDDR6）：这是目前威胁最直接的领域。长鑫的LPDDR6研发验证已进入收尾阶段，预计2026年下半年启动量产，其速率可达12.8Gbps。这与SK海力士、三星的量产时间表基本持平。韩国业界对此高度警惕，认为长鑫正在迅速抹平技术代差。
服务器内存（DDR5）：长鑫的DDR5产品已通过腾讯、阿里云等头部云厂商的严苛测试，并签署了数百亿元的长期供应协议，证明其性能已能满足高可用需求。

尽管追赶速度惊人，但长鑫在绝对性能和制造成本上仍有差距。例如，其DDR5的单位比特成本仍比三大巨头高出30%以上；在极限制程和良率积累上，韩系厂商依然有深厚的护城河。