据TheInformation11月6日报道，台积电正在考虑把制造范围扩大到先进存储芯片。如果推进下去，这家全球最大的晶圆代工厂将在AI硬件供应链中占据更大份额。

两名知情人士透露，台积电最近应最大客户英伟达的要求，开始拟定一种名为3DDRAM的先进存储芯片的生产方案。何时开始生产、工厂从何而来，目前都不清楚。

DRAM（动态随机存取存储器）用于在电子设备中临时存放数据。3DDRAM不再把存储单元只排在同一层平面上，而是沿垂直方向堆叠，以提高容量。

台积电可以新建工厂，也在评估收购一座现有工厂并改造成存储产线。美光今年收购了一座晶圆厂并改造成DRAM产线，台积电评估的是类似做法。这项工作由负责先进封装的副总经理徐国晋（HsuKuo-chin）牵头。

AI发展迅速，存储芯片明显短缺，价格被推高，芯片设计公司正在另寻供应。台积电若进入这一市场，将与三星电子、SK海力士、美光和长鑫展开竞争。

台积电对TheInformation表示："我们不评论市场传闻或揣测。"公司同时称："台积电始终专注于晶圆代工核心业务，使命是在未来多年，持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术和产能供应商。"英伟达未回应置评请求。

此前，SemiWiki作者丹尼尔·奈尼（DanielNenni）在10月30日，围绕台积电的垂直DRAM专利提出了同样的问题：这家晶圆代工厂最终会不会挑战已经确立地位的存储厂商？专利披露涉及垂直晶体管和集成电容，说明台积电正在探索与未来存储微缩相关的架构。不过，技术探索和商业入局是两回事，中间隔着制造和经济性上的巨大障碍。

为示意渲染，不是专利附图

两份专利，不能合并成一种结构

解读这些专利，必须先把文件分清。只写"US2022"，并不能唯一对应一份文件。

其中一份是US20220359529A1，2022年11月公开，描述的是垂直沟道晶体管，并与沟槽和堆叠相结合的混合电容集成在一起。另一份于2022年5月提交，公开号为US20230240066A1，是把电容直接放在垂直全环绕栅极晶体管的上方。这两份披露不应合并成同一种架构，也不应视为产品发布。

它们的意义依然具体：说明台积电在探索如何缩小存储单元的占地面积，并把存储结构沿垂直方向集成。但这些文件不能证明台积电已具备量产条件、已作出投资承诺，或打算销售通用DRAM。一种合理的解读是，这类研究是为嵌入式存储器、逻辑与存储的集成，或未来的客户需求预留选择。这仍是推断，并非公司披露的商业策略。

单元变小，不等于形成多层

更大的竞争背景是：DRAM还能怎样继续微缩。SK海力士已公开把4F²垂直栅极平台和3DDRAM都列为后续方向。两者相关，但并不相同：单元占地更小，并不会自动变成多层有效存储。把已完成的DRAM芯片堆叠成高带宽内存（HBM），也不同于在存储阵列内部沿垂直方向重复形成存储单元。TheInformation所说的3DDRAM，更接近后者。

对SK海力士、三星、美光以及任何潜在的新进入者来说，关键难题都是把结构上的前景变成可靠、成本可接受的比特。截面图再有说服力，也只是起点。工程师还要让晶体管、电容、互连和外围电路在大阵列中协同工作，并经受住制造波动、工作温度和反复量产循环的考验。

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