光刻机概念：攻坚半导体制造“卡脖子”环节 光刻机作为芯片制造的核心设备，其国产化关乎中国半导体产业链安全。当前国产替代聚焦八大核心环节，逐步构建自主可控能力：
核心环节突破路径 1. 整机集成：上海微电子（SMEE）主导，SSX600系列实现90nm制程，28nm浸没式研发中； 2. 光源系统：科益虹源（国产ArF光源主力）突破40kW激光等离子体（LPP）技术，波长稳定性达±0.1pm； 3. 物镜组：长春光机所、国望光学攻克NA>1.35浸没物镜，波像差控制趋近0.5nm； 4.双工件台：华卓精科实现±2nm精度定位，打破ASML垄断； 5. 控制系统：中科飞测、精测电子开发高精度对准与测量模块，套刻误差<1.5nm； 6. 光学器件：福晶科技、茂莱光学供应深紫外光学元件，透镜面型精度达λ/50； 7. 温控与洁净：晶盛机电、至纯科技提供±0.01℃恒温系统及Class 1级洁净环境； 8. 维保服务：中微公司建立本土化技术团队，降低设备停机风险。
产业链协同挑战 技术壁垒：EUV光源（13.5nm）、超高精度反射镜仍依赖进口； 生态短板：光刻胶、掩模版等配套材料国产化率不足15%； 成本压力：国产设备验证周期长，晶圆厂导入意愿需政策激励。
