弯道超车！长鑫存储DDR5进程已经直逼15纳米 半导体行业又有大新闻！中国记

弯道超车！长鑫存储DDR5 进程已经直逼15纳米 半导体行业又有大新闻！中国记忆体大厂 —— 长鑫存储，这几年在全球 DRAM 市场那可是一路 “狂飙”，市场占有率飞速上升，把三星、SK 海力士、美光这些老牌记忆体巨头都给 “惊动” 了，感受到了前所未有的威胁。 研究机构TechInsights 指出，长鑫存储本来首款商用DDR5 要采17 奈米制程，但现在已往前至16 奈米，下一代15 奈米也在现有制程上开发，目标是2025 年完成、2026 下半年商业化，速度相当惊人。 TechInsights 认为，「这意味他们找到独特的方法，以商业规模设计并制造这款晶片 1. 长鑫存储的崛起 市场份额增长：长鑫存储在全球DRAM市场的份额从2020年的接近零，迅速增长到2024年的5%。预计未来其市场份额将进一步增长。 技术进展：长鑫存储的技术已接近韩国三星和美光，预计2025年将实现15纳米DDR5量产，且发展速度超乎预期。 产能扩张：月产能从23万片提升至33万片，产能增长迅猛，逐步逼近美光。 2. 美国管制影响 美系设备撤离：由于美国政府收紧管制，影响了长鑫存储的设备维护，导致美系设备大厂的技术人员撤离。特别是18纳米制程的量产受阻，可能影响未来的技术进展。 美国政府管控升级：美国政府的措施对设备商的服务造成了影响，尤其是对中国客户的设备维护服务。 行业反应：这一情况对韩国DRAM厂商来说可能是好消息，长鑫存储的技术进展被认为可能会受到影响。 3. 中国政府的支持 政策扶持：中国政府通过退税等政策大力支持长鑫存储的发展，吸引更多企业采用其产品。 市场份额扩张：长鑫存储的DDR4产能大幅提升，目前市占率已达到15%。这使得三星和SK海力士不得不退出低端市场。 4. 未来展望 短期影响有限：由于中国厂商通常有较长时间的库存备货，因此短期内的影响相对有限。 长期观察：尽管短期影响不大，但美方的持续管控是否能够有效削弱长鑫存储的竞争力仍需时间观察。 总体来看，长鑫存储的技术突破与产能扩张使其成为全球DRAM市场的重要竞争者，但美国的技术封锁和管控措施可能对其长远发展构成挑战。