外媒：国产5nm套刻路线大获成功 中实现5纳米节点缩放的技术路线大致。 实

外媒：国产5nm套刻路线大获成功

中实现5纳米节点缩放的技术路线大致。

实现5纳米技术里程碑需要集中精力缩小关键参数，如单元高度、栅极间距和最小金属间距，通常涉及实施额外的多重图案化技术，但挑战在于超越现有芯片（如麒麟9000）中观察到的最小金属间距阈值。 深紫外（DUV）ArFi光刻结合多重图案化作为满足高良率和成本效率双重需求的可行选择，但该方法对特征分辨率有40纳米的限制。

为实现向5纳米规模的进一步缩小，采用间距分割方法（包括高风险的四重图案化）变得必要，将间距降至目标34纳米。复杂性因ARM架构设计中固有的可变宽度线和间隙而放大，需要转向受限制的极紫外（EUV）光刻以实现5纳米节点商业化。 目前，中芯国际使用一些先进特性实现了7纳米n+1和n+2技术发布，但未过度突破光刻极限；收紧间距会使其达到类似N6的水平，采用更复杂的多重图案化实施可能实现5纳米工艺节点。

这个技术路线让中国沿着阿斯麦的技术路线探出另一条自主可控的道路，这些设备目前已经可以国产化，有了这些设备，产能不是问题，技术不再是问题，量产只是时间问题。