西方慌了。哈工大搞出13.5纳米波长极紫外光，华为Mate70实现全国产化，都不是最要命的。真正让他们冒冷汗的是EUV光源。ASML的光刻机光源一直依赖美国Cymer公司。现在，哈工大另辟蹊径，用DPPEUV光源取代了美国LPPEUV光源。体积更小，技术门槛更低，效果却更好。这就好比，你一直以为只有你能提供某种关键零件，结果别人自己造出来了，而且还更好。 光刻机这玩意儿，难造得很。即便图纸到手，10万个元器件组装起来也够呛。有了EUV光源，5纳米工艺不在话下，多重曝光还能做到4纳米、3纳米。光刻机就像个放大版的单反相机，把电路图缩小印到晶圆上。 先别高兴太早。顶级EUV光刻机需要四个核心部件：光源系统、物镜系统、双工件台、控制系统。咱们现有的DUV光刻机能做7纳米工艺。想用EUV光源做功耗更低的7纳米或5纳米，其他元器件也得跟着升级，特别是镜头。 台积电吹嘘自己能做2纳米工艺，主要靠EUV多重曝光和蔡司的物镜系统。这物镜系统，一部分是六镜头的反射系统，一部分是照明系统。照明系统25000多个零件，重6吨多。六镜头投影光学元件40000多个零件，重约12吨。这玩意儿，精密得吓人。 美国、台积电、ASML真正怕的是什么？就是我们哪天把物镜系统、双工件台、控制系统都搞定了。华为的麒麟9020、昇腾910、鲲鹏系列芯片，都虎视眈眈。要是我们能造5纳米芯片，台积电和ASML都得靠边站。这才是西方真正担心的。现在，他们只能干瞪眼。
