【新研究证明可控制第三类新型磁性，有望提高电子设备速度千倍】
每种材料都具独特磁性，某些材料处于磁场产生很强磁性，某些则为弱磁性，还有一些就算处于磁场也不存在磁性。最近，科学家首次对称为交替磁性（altermagnetism，AM）的新型磁性进行成像，可能促进新型磁储存设备开发，并将电子设备运行速度提高千倍。
磁性材料可用于多数长期计算机存储器和最新一代微电子设备，无论铁磁性、反铁磁性材料都各有研究，是个庞大且重要的产业，然而两者应用于磁性储存设备便有所限制。
幸运的是，近两年科学家已发现称为「交替磁性（altermagnetism，AM）」的第三类新型磁性，具有交替磁性的交替磁体能将铁磁体、反铁磁体各自优点结合到单一材料，能使微电子元件、数位存储器速度提高千倍，同时更加坚固和节能，也能以毒性较小的材料制成。
最近，诺丁汉大学团队首次创造、操纵一种交替磁材料并对其成像，证明我们可在微型设备控制交替磁性。
团队以 X 射线研究的交替磁材料为碲化锰合金，实验中，研究员证明能非常精确调整材料以产生特定磁性方向，改变交变磁结构；简单来讲，团队除了证实交替磁性能结合常规铁磁性与反铁磁性，还可以控制它们。
第三类磁材料有机会彻底改变计算机内存，减少对稀有且高毒性元素的依赖，朝下一代技术实际应用迈出重要一步。
新论文发表在《自然》（Nature）期刊。
