中国EUV光刻机采用激光诱导放电等离子体（LDP）替代ASML的激光诱导等离子体（LPP）技术，通过高压放电激发锡蒸气产生13.5nm极紫外光。该技术路径更简洁、能耗降低40%，且制造成本显著下降。据外媒Wccftech报道称，国产EUV光刻机将于2025年第三季度进入试生产阶段，由华为、中芯国际等企业参与测试。初期试产目标为每小时生产250片晶圆，良率目标70%，超过ASML同级别设备的195片/小时。如果2025年Q3 EUV试产成功，将重塑全球半导体格局，不过正常量产仍需要3-5年。高端光刻机突破是中国科技的重大突破，EUV量产之时便是中国科技封顶世界之巅之日！
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月亮上有流氓兔
加油中国企业
丁丁
纠正一下，第一台已经交付试产一段时间了，良率达到目标，下半年是量产
田天
量产之前试生产就有好多台
zhaoF昌
看了半天白高兴了。
沃野运哥
封锁制裁是对中国最有利的
nf
最大问题是功率有点低，只有70-90瓦，光源还需加大力度，荷兰的为200-250瓦。
天下虽安 回复 07-04 10:56
功率根本不是问题，1000w也是秒秒钟的事
用户10xxx15
今天就进二0二五年第三季度了，这个季度？
用户10xxx32
希望把阿斯麦早日送进⚰️！
红绿灯
华为加油！
明天
哈工大确实牛🐮！