歼20的雷达探测距离提升三倍,其对非规目标的探测距离达500公里,对F35的探测距离也达200公里。 这其中,除了氮化镓半导体、多单元T/R组件、大孔径设计、数字阵列设计以及AI加持的成果外,还有一个核心部件——电源的功率件。这个部件需要具备高强度和耐高温的特性,而氮化镓在这两方面仍存在一定的不足,相对而言,碳化硅在这些方面的表现要好得多。 碳化硅作为第三代半导体技术的一种,美国曾将其用于E2D的T/R组件。此前,这类功率件的设计和加工工艺主要集中在日本,东大在特高压领域的碳化硅功率件也曾依赖于从日本进口。然而,歼20却未能使用这种技术,这需要东大自主设计并生产碳化硅芯片。山东大学的徐现刚博士生导师在这方面为东大开辟了道路,极大地助力了歼20雷达探测距离的提升,达到了原有的三倍。
美国f35飞行员遭遇歼20时跟基地通话,刚开始的时候声音还比较平静,在雷达上没有
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