划时代意义诞生，中国一些高端芯片有救了！ 中国研发成为产生DUV光刻机深紫外线

划时代意义诞生，中国一些高端芯片有救了！ 中国研发成为产生DUV光刻机深紫外线光源技术路径完全不同的全球第二家！并且做出了自己的光刻机！虽然都是深紫外线光刻机DUV，但它能干ASML极紫外线EUV光刻机的活。 这项技术的核心在于使用了Yb:YAG晶体放大器来生成激光。国产光刻机用Yb:YAG晶体，是中科院研发的固态DUV（深紫外）激光技术中的关键部件，之所以说固态是因为ASML由液体中产生光。中国研究的深紫外线它替代了传统光刻机光源系统中一些复杂且依赖稀有气体的部件。 具体来说，全球领先的光刻机制造商如ASML、佳能、尼康等，其DUV光刻机都采用氟化氙（ArF）准分子激光技术，通过氩、氟气体混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子，形成光刻所需的光源。 中科院的固态DUV激光技术完全基于固态设计，它不是在液态中产生，由自制的Yb:YAG晶体放大器生成1030nm的激光，再通过光学路径进行波长转换，最终产生193nm波长的激光光束。它与传统的氟化氩（ArF）准分子激光技术相比，具有颠覆性质的，它的许多优势ASML望尘莫及。 这种替代的意义简直就是史无前例，意义重大，它可以大幅降低光刻系统的复杂度、体积，减少对稀有气体的依赖（光气体部分就是一个庞然大物），并大大降低能耗，还绕开了欧美几万项专利墙的封锁，从底层物理原理重建技术体系。 这种技术的光谱纯度与现有的ASML商用准分子激光系统相当，线宽低于880 MHz，半峰全宽（FWHM）小于0.11 pm，这对于光刻机在7nm硅上产生特征尺寸至关重要，并且可以用于低至3nm的工艺节点。目前已经在中芯国际在实际使用，效果非常好！