博世正式发力碳化硅赛道，美国罗斯维尔工厂已开启样品生产，年内推进商业化制造。累计投入20 亿美元改造产线，叠加美国政府补贴，全力落地8 英寸 SiC 现代化产线。

伴随 800V 高压平台普及，传统硅基芯片瓶颈凸显，碳化硅已成行业刚需。博世深耕二十余年，第三代 SiC 芯片在功耗、散热、可靠性全面升级，8 英寸产线落地大幅拉低量产成本，让碳化硅逐步下放至家用平价车型。

依托芯片 + 逆变器自研的垂直整合优势，博世吃透车规真实工况，也是其区别普通芯片厂商的核心壁垒。