三星半导体研究中心在上周的VLSI 2026国际会议上拿了一篇最佳论文，评分8.29，在一千多篇投稿里排名最靠前的几篇之一。
研究的东西叫3D Stacked FET。VLSI是半导体器件领域最核心的学术会议之一，只有最具突破性的工艺和器件研究能站上这个讲台。
三星配套发了一篇科普文章，写得很用心，能看懂半导体的晶体管过去二十年怎么一路演变到今天这一步。
：《VLSI 2026最佳论文：42nm栅距3D堆叠晶体管全解析》 VLSI 2026最佳论文：42nm栅距3D堆叠晶体管全解析
三星半导体研究中心在上周的VLSI 2026国际会议上拿了一篇最佳论文，评分8.29，在一千多篇投稿里排名最靠前的几篇之一。
研究的东西叫3D Stacked FET。VLSI是半导体器件领域最核心的学术会议之一，只有最具突破性的工艺和器件研究能站上这个讲台。
三星配套发了一篇科普文章，写得很用心，能看懂半导体的晶体管过去二十年怎么一路演变到今天这一步。
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