英特尔加速代工厂复兴，由先进封装技术引领

英特尔正通过对先进半导体封装的大规模投资，加速其代工厂（合同制造）业务的复兴。通过扩展材料、组件和设备等基础设施，英特尔正大幅提升其先进封装产能，以加强针对最近签约的代工厂客户的响应能力。

据业内人士28日消息，英特尔目前正向其全球供应链合作伙伴下达材料、组件和设备的大规模采购订单。据报道，已签署多项材料、组件和设备的供应合同。一些韩国材料/组件/设备公司也参与其中。

一位熟悉此事的消息人士表示：“价值数万亿韩元的先进封装设施投资正在进行中”，并补充道：“考虑到设备交货期以及材料和组件供应的时机，预计明年将全面运营。”英特尔还正在与部分合作伙伴讨论2028年的设施投资事宜。被提及的主要封装生产中心包括美国以及越南和马来西亚。

据称，此次投资重点在于扩展“EMIB（嵌入式多芯片互连桥）”产能。

EMIB 是英特尔专有的 2.5D 封装技术，用于连接不同的半导体（芯片）。通过嵌入半导体基板中的硅桥，芯片之间交换信号，与台积电主导的基于硅中介层的 2.5D 封装相比，其成本和生产效率更优。特别是，它只需用桥连接必要区域，即可实现精确的 2.5D 封装。

英特尔正进一步推进 EMIB 技术的发展，例如采用硅通孔（TSV）技术的 EMIB-T，以及集成玻璃基板的封装技术。其目标是通过多元化封装技术来扩大客户群。此次材料/组件/设备投资还包括多项将应用于下一代封装的新技术。

此次封装投资是加强代工厂能力的战略举措。英特尔于 2021 年宣布重返代工厂业务，并推动先进（前端）工艺的开发，但一直难以争取到主要客户。这在很大程度上是因为台积电在先进芯片代工领域的统治地位，包括 AI 半导体。

此次封装投资也被解读为吸引代工厂客户的差异化能力强化策略。由于电路微缩化的极限，整个行业在通过前端工艺提升芯片性能方面面临制约，英特尔被视为试图通过先进封装（后端）突破这一瓶颈，并将整个代工厂业务置于稳定轨道上。

英特尔还在并行推进前端技术进步，以最大化协同效应。去年，英特尔将其“Intel 18A”工艺——相当于 2 纳米（nm）级别——投入全面运营。它不仅为自家芯片持续进行设施投资，还服务于代工厂客户。

另一位业内人士预测：“此次封装投资证明英特尔已争取到一定程度的先进代工厂工艺客户”，并表示“结合 18A 工艺的扩展先进封装投资，可能成为英特尔代工厂复兴的启动信号。”