美光存储芯片涨价（20%-30%）将带动存储产业链上下游需求，结合图片中“存储芯片概念产业链核心公司梳理”，受益概念股可按环节分类梳理如下：
一、存储芯片设计
兆易创新：国内Nor Flash龙头，在消费电子、工控领域市占率领先，直接受益存储芯片涨价。
东芯股份：SLC NAND领域领先，工业控制市场占有率第一，存储芯片需求增长推动业绩释放。
北京君正：车载DRAM核心供应商，汽车电子智能化趋势下，车载存储需求刚性提升。
普冉股份：以EEPROM+Nor Flash双轮驱动，覆盖消费电子、物联网等场景，受益存储芯片价格上行。
恒烁股份：存算一体AI芯片突破（50TOPS算力级产品流片），兼具存储与AI属性，技术壁垒高。
二、晶圆制造
长鑫存储：国产DRAM唯一量产厂商，DDR5良率突破，直接受益DRAM价格上涨，国产替代逻辑明确。
长江存储：3D NAND技术领先（232层产品量产），NAND Flash涨价背景下，产能释放带动业绩弹性。
三、存储模组与封测
江波龙：企业级SSD国产替代主力，消费级存储模组市占率高，存储芯片涨价直接传导至模组环节。
德明利：自研PCIe 4.0 SSD主控芯片，打入联想供应链，SSD需求增长+主控技术突破双重驱动。
佰维存储：布局存算一体封装，储备HBM Chiplet技术，前瞻布局下一代存储技术（如HBM）。
香农芯创：SK海力士代理商，HBM国内分销核心渠道，美光涨价后HBM需求激增，分销业务量价齐升。
深科技：DRAM封测龙头，配套合肥长鑫存储，封测产能随长鑫扩产同步释放。
通富微电：HBM 2.5D封装量产，AI服务器对HBM需求爆发，封装业务增量明确。
朗科科技：U盘专利持有者，覆盖消费级存储市场，存储芯片涨价推动终端产品调价增收。
大为股份：DRAM模组业务高增长，新能源车应用突破，车规级存储需求打开第二增长曲线。
四、存储设备/材料
中微公司：刻蚀设备打入长存、长鑫产线，半导体设备国产替代核心标的，受益存储晶圆厂扩产。
拓荆科技：PECVD设备覆盖3D NAND 200+层堆叠，长江存储扩产带动薄膜沉积设备采购需求。
华海清科：CMP设备唯一国产供应商，存储晶圆平坦化工艺核心设备，国产替代逻辑强。
雅克科技：前驱体材料龙头（供应长存、长鑫），存储晶圆产线材料需求刚性，技术壁垒高。
安集科技：抛光液国产替代核心（覆盖14nm以下节点），CMP环节关键材料，受益存储晶圆厂扩产。
精智达：存储测试设备商（配套长鑫存储），存储芯片量产环节测试需求随产能释放增长。
兴福电子：电子级磷酸/硫酸龙头（配套长鑫），湿电子化学品在存储晶圆制造中不可或缺。
北方华创：半导体设备龙头，存储晶圆厂扩产带动多品类设备采购。
鼎龙股份：CMP抛光垫打破垄断，HBM用PSPI材料量产，存储高端化带动材料升级需求。
长电科技：先进封装龙头，Chiplet技术赋能存储芯片异构集成，前瞻布局下一代技术。
赛腾股份：收购Optima切入HBM检测设备，HBM量产良率管控需求带动检测设备增量。
五、其他产业链配套
澜起科技：DDR5内存接口芯片全球市占率超50%，DDR5渗透率提升+AI服务器需求，业绩弹性明确。
聚辰股份：EEPROM配套Nor Flash，消费电子、汽车电子场景需求稳定，存储芯片涨价间接利好。
中科曙光：企业级存储系统供应商，AI算力中心建设带动高端存储需求。
开普云：拟收购鑫克切入企业级SSD，跨界布局存储硬件，把握存储国产化机遇。
联芸科技：SSD主控芯片厂商，消费级+企业级SSD需求增长带动主控芯片放量。
万润科技：子公司长江万润布局HBM封装材料，HBM技术普及带动封装材料升级需求。
联瑞新材：Low-α球形硅微粉，HBM高频信号传输需求推动材料应用。
华海诚科：GMC封装材料用于HBM，HBM封装环节关键材料，技术卡位优势明显。
神工股份：硅零部件进入长江存储，存储晶圆制造环节核心零部件国产替代，需求随产能释放增长。
斯迪克：参与华为磁电存储“SSD+MED双层存储架构”的电磁涂布环节，新型存储技术前瞻布局。
六、磁电存储&华为存储配套
磁电存储：中电兴发、宁波建工、智迪科技、易华录、宁波韵升、信息发展、同有科技、福日电子等，覆盖磁电存储全产业链环节，受益新型存储技术商业化进展。
华为存储：中亦科技、易华录、创意信息、天源迪科；兆易创新、同有科技、神州数码、中科曙光、银信科技、万润科技、太极股份、拓维信息，华为存储生态链企业，受益国内算力中心存储国产化替代。
以上公司覆盖存储芯片设计、制造、模组、封测、设备、材料及配套环节，直接或间接受益于美光存储芯片涨价及存储产业链国产替代逻辑。
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