【SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存】6 月 10 日消息，2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。SK 海力士首席技术官 Cha Seon Yong 在会议发言中表示，延续现有技术平台进一步提升 DRAM 性能与容量的难度正与日俱增，该企业计划将 4F2 VG 平台和 3D DRAM 技术应用于 10nm 或以下级内存，并在结构、材料和组件方面进行创新。
