颠覆！三星首次向中国厂商支付专利授权费，历史在这一刻被改写！ 2025年2月，长江存储宣布其自主研发的“混合键合”技术获三星第十代V10 NAND闪存采用，标志着国产存储芯片技术首次站上国际产业链顶端。 这一突破源于长江存储颠覆性的“晶栈（Xtacking）架构”。传统3D NAND堆叠超过400层时，底层电路因压力过大面临可靠性危机，而长江存储通过混合键合技术，将存储单元与外围电路分置于两片晶圆，以“晶圆级键合”替代传统凸块连接，不仅缩短电路路径、提升性能，更将散热效率与存储密度推向新高82。凭借此技术，长江存储仅用十年便实现从零到270层NAND量产的飞跃，其位密度高达20Gb/mm²，领先行业。 更深远的意义在于，这一合作打破了“专利单向输出”的旧秩序。长江存储早期布局的专利壁垒，迫使三星、SK海力士等巨头不得不主动寻求授权。从起诉美光侵权到反向技术输出，中国存储企业正从“跟跑者”蜕变为“规则制定者”。 这场技术革命背后，是国产芯片从“制造”到“智造”的跨越。当三星的V10芯片搭载“中国芯”技术量产，全球存储市场的权力天平已悄然倾斜——属于中国创新的时代，正加速到来。
