春节终于传来好消息！中方在合肥干了一件大事，让白宫如坐针毡：这下彻底完了！

春节终于传来好消息！中方在合肥干了一件大事，让白宫如坐针毡：这下彻底完了！

继长鑫储存DDR5规格的内存芯片量产上市之后没过多久，长鑫储存在内存工艺和HBM芯片生产上又取得巨大突破，位于合肥研发和生产基地的长鑫储存干了件大事，这将彻底改变当前东大在内存存储芯片领域的博弈态势，美方对东大实施的各种芯片技术限制措施，以及使用各种手段阻碍东大内存芯片领域进步的所有图谋可以宣布破产了。

当地时间1月30日，据美国彭博社报道，根据美方技术检测机构的分析，他们发现长鑫储存的内存芯片工艺得到了大幅提高，目前已经抵达16纳米工艺节点，这一三星、海力士等国际内存大厂之间的制程差距缩短为2年之内，可以说是东大在内存芯片生产领域一次里程碑式进步。

文章称尽管长鑫储存在合肥的生产基地遭到美方多轮限制打压，但是该公司已经在近期接连取得技术突破，其内存芯片产能在2024年第三季度和第四季度扩大到每月20万片晶圆的规模，预计2025年第四季度之前，该公司将达到每月30万片晶圆的产能，其占全球内存颗粒的总产量将达到15%左右，基本实现在全球内存颗粒市场中“稳定一极”的战略目标。

分析人士指出，随着长鑫储存在工艺制程和核心技术领域的不断提高，其内存产品的产能释放正在迫使三星、美光和海力士不断降低DDR5内存颗粒的出厂价格，这一市场动态正在迫使韩国内存芯片产业发生重大变化，国际内存产业的主导权正在从韩国和美国企业向其他厂商发生转移。

值得注意的是，这还仅仅只是长鑫储存一家DDR5内存颗粒的产能扩大，实际上，根据国际内存市场调查机构的预测，东大在2027年之前，将在全球内存市场中占据30%以上的市场份额，大致相当于全球市场三分之一掌握在东大手中，这不仅提高了东大在主要应用类芯片的自主可控，而且还大大减轻了美方实施各类型限制措施对相关产业的影响，成功削弱了美方实施“科技战”的打击能力，可谓“一石多鸟”。

让白宫如坐针毡的是，长鑫储存生产能力和技术能力提升的速度，远远超出了他们构建所谓“内存墙”限制措施的预估，美方意图通过断供和卡脖子来拖慢竞争对手的手段已经被证明毫无意义可言。