国际半导体设备与材料产业协会称，全球先进制程芯片产能扩张力度正在加大，2025年将有18个晶圆厂建设项目启动。新项目包括3个200毫米晶圆厂和15个300毫米晶圆厂，其中大部分预计将于2026年至2027年投入运营。今年，美国和日本各有4家晶圆厂开始建设；我国有5个，其中包含中国台湾地区的2个晶圆厂，欧洲以及中东将有3个晶圆厂开始建设；韩国和和东南亚各有一家晶圆厂开建。 先进制程芯片是指采用最新一代半导体制造工艺技术生产的芯片。制程技术通常以纳米为单位衡量，数字越小，表示制造工艺越先进。目前的先进制程技术包括5纳米、3纳米，甚至更小的2纳米和1纳米技术。大型晶圆代工厂和新的厂商正在加大先进制程节点的产能扩张力度，这种增长最明显体现在7纳米及以下的先进制程节点,预计2025年将达到16%的年增长率。 全球半导体整体产能预计2025年年增长率将达到 6.6%，每月晶圆总量将达到 3360 万片。这种扩张将主要由高性能计算 ，前沿逻辑技术以及生成式AI在边缘设备中的日益普及所推动。在我国芯片自给自足战略以及汽车和物联网应用预期需求的推动下，成熟制程芯片（8纳米~45纳米）预计将再增加 6% 的产能，超过2025年1500 万晶圆总量的里程碑。 具体到厂家，台积电亚利桑那州的首座工厂采用N4工艺，预计将于2025年上半年开始量产，初期主要服务于AMD和苹果等美国客户。N4工艺是台积电5纳米芯片的一部分，属于增强型5纳米工艺，也称为5纳米+，因此可以大致看作是5纳米制程芯片的改进版本。台积电亚利桑那州的第二座工厂将采用N3和N2工艺,预计将于2028年投产。N3工艺和N2工艺分别代表其3纳米节点和2纳米节点。而台积电在日本的第二座工厂计划于2027年底开始量产6/7纳米芯片。 英特尔位于亚利桑那州的Fab 52和Fab 62工厂很可能于2025年初投产，采用18A制程技术制造芯片。18A工艺的技术特性与台积电N2和三星2纳米芯片的制程相当。 日本Rapidus公司计划今年4月开始2纳米芯片的试生产，6月开始向美国芯片巨头博通提供2纳米样品。 由于2纳米产品良率问题，三星美国德克萨斯州的新工厂面临延期，量产时间从原定的2024年底推迟到2026年。 技术力量认为，全球先进制程产能扩张主要是市场需求推动的，随着高性能计算、AI应用和物联网技术的普及，对先进制程芯片的需求呈现指数级增长。其次，它也是各国科技竞争的需要。通过增加本地产能，各国可以减少对竞争对手的依赖，降低供应链风险。 另外，在全球先进制程产能扩张的进程中，有3个现象值得关注，首先是我国半导体正在崛起，其次是美国的再工业化已经出现，最后就是通过Rapidus，日本试图重回半导体制造领域的主导地位。 信息来源：-press-release/eighteen-new-semiconductor-fabs-to-start-construction-in-2025-semi-reports
