中芯国际最终将赶上台积电，这是新加坡毕盛资产管理公司创始人兼首席投资官王国辉最近在接受彭博电视的采访中得出的结论。目前，两家公司的市值差距巨大，台积电的市值已经飙升至令人难以置信的1万亿美元以上，而中芯国际则徘徊在500亿美元左右。 王国辉认为，尽管目前中芯国际与台积电存在不小的差距，但中芯国际最终可以赶上台积电。他的原话是：“随着时间的推移，我相信，中芯国际会迎头赶上。”原因有4点：首先是资金，芯片行业需要巨大的资本支出，1家芯片晶圆厂的建设成本就超过100亿美元，但中芯国际不缺钱，拥有充足的资金支持；第二，国家的支持；第三，人才，中国每年培养超过500万的大学毕业生，这为中芯国际提供了足够的人力资源来发展。第四，中国拥有巨大的国内市场，这意味着中芯国际无需考虑海外市场，仅在中国，它就可以过得很好。 上述因素使王国辉的对冲基金公司确信，中芯国际与台积电的差距将缩小。并且，这种差距已经缩小。目前，中芯国际面临的主要技术障碍是无法使用荷兰阿斯迈尔的EUV极紫外光刻机，但中国在这一领域正在进步，比如哈工大的先进技术研究院已经开发出了一种“放电等离子体极紫外线光刻光源”，这显然具有更好的能源效率和成本效益。湖北的九峰山实验室刚刚完成了将激光光源集成到硅芯片中的研究工作。 王国辉认为，只要有一家中国公司成功开发出EUV光刻机，那么芯片战争就会结束。从那天开始起的的3年内，一半的美国公司、美国半导体公司将陷入大麻烦。因为没有中国公司愿意从美国公司购买设备或芯片。他们将主要从自己的公司购买。 技术力量认为，王国辉的说法比较有道理。从技术差距上看，台积电已大规模量产3纳米工艺芯片，并在推进2纳米技术节点，而中芯国际的先进制程尚停留在7纳米节点左右。只差极紫外光刻机，中芯国际便能在技术上追上台积电。技术差距主要集中在5纳米及以下节点的量产能力和良率控制方面，中芯国际目前落后台积电2-3个技术节点。然而，我国高度重视半导体产业发展，通过“国产替代”战略扶持中芯国际，提供政策支持和资金投入。在国内需求驱动下，中芯国际可能在成熟制程和部分高端制程领域建立更强的竞争力。 关键的变量在于中芯国际能否获得EUV光刻机或者开发出其他替代技术。一旦成功，技术力量在此大胆预测下：短到5到10年，长则10年以上，中芯国际就能追上台积电！ 信息来源：-could-rival-TSMC-s-1-trillion-valuation-despite-tech-restrictions-claims-asset-manager.943755.0.html
