微电子所2024年年鉴重要信息‼️：gaa已经在量产线上。3星在3nm引入gaa，TSMC2nm引入，intel今年引入。
2、提出采用垂直环形沟道（CAA）IGZO晶体管 2T-0C DRAM存储单元三维堆叠技术，最新成果再次入选2023 IEDM。
4、创制新型鱼骨形水平GAA和沙漏形Ge沟道垂直GAA器件，相关成果论文被选为EDL封面亮点文章。在国内12吋量产线实现水平GAA器件制造。
5、突破硅微桥埋入式集成技术，满足了Chiplet封装总带宽≥2.7Tbps使用需求；
7、计算光刻软件实现新的应用；
