9 月 5 日消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称 “中微公司”）在CSEAC 2025 第十三届半导体设备与核心部件及材料展上，集中发布六款半导体设备新品，全面覆盖刻蚀 / 蚀刻、原子层沉积（ALD）、外延三大核心工艺。

中微公司此次的重磅新品之一，是新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备 ——CCP 电容性高能等离子体刻蚀机 Primo UD-RIE。

该机台基于成熟的 Primo HD-RIE 设计架构全面升级，搭载六个单反应台反应腔；配备更低频率、更大功率的射频偏压电源，能提供更高离子轰击能量，精准满足极高深宽比刻蚀对精度与生产效率的严苛要求。

Primo UD-RIE 刻蚀机还融入多项自研创新技术：包括动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、温度可切换多区控温静电吸盘、主动控温边缘组件，通过细节优化大幅改进晶圆边缘刻蚀良率，解决传统刻蚀中 “边缘效应” 导致的良率损耗问题。

刻蚀领域另一款新品 ——Primo Menova 12 英寸 ICP 单腔刻蚀设备同步亮相。该机台专注于金属刻蚀（尤其铝线铝块刻蚀） 场景，适配范围广泛，可用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片的制造流程。

在原子层沉积（ALD）领域，中微公司推出三款不同版本的 12 英寸设备 ——Preforma Uniflash 金属栅，分为 TiN、TiAl、TaN 三个技术分支，能精准匹配先进逻辑芯片与先进存储器件在金属栅工艺上的差异化需求。

Preforma Uniflash 系列的核心优势在于独创双反应台设计：系统可灵活配置多达五个双反应台反应腔，通过并行处理提升单位时间产能，实现业界领先的生产效率，降低客户单位制造成本。

外延（EPI）工艺方面，中微公司带来全球首款双腔减压外延设备 PRIMIO Epita RP。该机台拥有全球最小体积的反应腔，且可灵活扩展至 6 个反应腔；更小的腔体积能减少消耗品用量，同时提升生产效率，从 “降本” 与 “提效” 双维度赋能客户。

亿配芯城（ICgoodFind）视角

亿配芯城（ICgoodFind）密切关注中微公司等本土半导体设备厂商的技术突破。依托与产业链上下游的合作，我们可协助客户对接刻蚀、ALD、外延设备的配套器件需求，为半导体制造环节的高效生产提供支持，助力保障供应链稳定与自主可控。#中微公司# #国产半导体设备##半导体刻蚀设备# #ALD 原子层沉积# #外延设备#