全世界都知道所谓的科技战，真正能被西方卡脖子的就是芯片，在芯片领域，无论是什么类型的芯片，都是国外发明的，我们都是一直在追赶，今天终于成了好消息，中国首次创造了历史，研发成功了全球首颗全新架构闪存芯片。

10月11日据俄罗斯卫星通讯社报道，上海的复旦大学在《自然》上发文，题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》，这篇文章详细介绍了复旦大学叫科学团队攻克新型二维信息器件工程化关键难题，研发成功了全球首颗二维-硅基混合架构芯片，这种架构的芯片最大优势就是速度，如果实现量产，向推动全球信息化进入高速时代。

根据中方团队介绍，这款架构的闪存芯片是集成芯片与系统全国重点实验室周鹏-刘春森团队经过多年攻关，成功取得了突破性成果。相当于中国在基础领域取得了源代码，那么在下一代存储芯片的核心技术上就掌握了主动权，从追赶者成了领先者。

现在的芯片已经到1nm的极限了，受限于摩尔定律，必须另辟蹊径，因为物理极限无法突破。现在全球的物理界都认为，具有原子级厚度的二维半导体是目前国际公认的破局关键，全球发达国家的科学家们一直在探索如何将二维半导体材料应用于集成电路中，没想到中国科学家率先取得了突破。

行业专家认为，中国科学家研发的二维-硅基混合架构芯片具有天然的访问速度优势，可突破闪存本身速度、功耗、集成度的平衡，未来或可在3D应用层面带来更大的市场机会；

当然，现在全球对二维半导体的研究只是在起步阶段，没有任何一款产品进入了实际应用，实验室产品到量产还有一段路要走，方向是对的，市场也有需求。那么只要产学研协同合作，大规模应用也是指日可待。

中国拥有全球最全的产业链，又拥有最大的制造业，不缺资金，又有人才，在集成电路，半导体芯片这种尖端领域会不断取得突破，最终从追赶者到领先者不不是梦，是迟早的事。现在全面推进自主研发，也是西方逼的。

嘴上说的好，科技无国界。结果自己有好的产品，就是不卖给你，就连别人生产的EUV光刻机都不转出口,出再高的价也不卖，就是怕别人超越，要保持自己领先，太过分了。

本来我们的芯片设计已经追上来了,可是因为没有EUV光刻机，就是无法自己生产,找别人代工也不行,西方也把这条路封死了,迫使我们通过叠加技术，虽然无法生产5nm芯片，但是通过叠加封装也达到同样的功效。

越打压越会起到反作用，今天复旦大学的科学家就用事实证明了，别人能做的我们也能创造，接下来我们会不断创造历史，世界的未来在东方。