光刻机，绝对是芯片产业最为牵动敏感神经的设备。

原因是我们相比于国际顶尖水平，太落后了，和ASML相比的话，应该落后起码有10年吧。

早几天，ASML的CEO都称，ASML卖给中国的光刻机，其实是相当于2014年左右的水平，落后了8代，就这样的光刻机，都比中国本土的强。

而光刻机是制造芯片必不可少的设备，ASML这样卡脖子，已经严重影响到我们的芯片制造水平了。

所以大家期望国产光刻机能突破，特别是EUV光刻机突破，因为EUV光刻机，可以用于制造7nm以下芯片，ASML是被禁止卖给中国的。

在这样的背景之下，一旦有什么EUV光刻机，或者能够绕过EUV光刻机，制造5nm及以下芯片的技术出现，都能让大家兴奋。

而近日，有媒体报道称，日本企业DNP(日本印刷株式会社)宣布，研发出了线宽为10nm的NIL纳米压印机，而10nn的线宽，意味着相当于1.4nm级别的逻辑芯片了。

于是网友们炸锅了，什么日本为何这么厉害，我们为何这么落后，什么日本的1.4nm这种“光刻机”会不会卖给我们之类的。

当然，日本研发出这样的NIL纳米压印技术，也并不是不可能，毕竟之前佳能也研发出了所谓的能够制造5nm，甚至3nm芯片的NIL纳米压印机。

但如果认为它就是能够制造1.4nm芯片，能够替代EUV，那就大错特错了，别听日本来吹牛了。

NIL和EUV是完全不同的路线，NIL类似于盖章，先要雕刻一个母板，将芯片的电路图刻到这个母板上，然后再将母板压到硅晶圆上，于是电路图就像盖章一样，盖上去了，这就是所谓纳米压印的原因。

母板与芯片的比例是1:1的，然后这么去印，损耗是非常大的，可能盖个50次就得报废，又得重新制造母板……盖50次又报废，又得重新制造。

所以纳米压印无法制造高精度的芯片，特别是复杂的逻辑芯片，几乎就不太可能用它来制造。最多用于NAND、DRAM这样的存储芯片上。

其次，纳米压印的效率非常低，和EUV完全不是一个级别的对比。

EUV制造掩模板时，可以不需要那么精细，因为光线可以放大，通常制造4：1比例的就行，同时光线照射掩膜版，不会直接接触，一块掩膜版，可以用几千次才报废。

所以纳米压印，是不可能取代EUV的，所谓的1.4nm纳米压印机，更多的还是吹牛，或许并不是厂商吹出来的，而是媒体吹出来的。

纳米压印，真的的用武之地，其实是实验室，如果有一些先进芯片要制造，但又不可能搞出EUV生产线，成本太高了，且生产的量也小，用纳米压印，成本低，精度还行。

按照DNP的说法，他们要力争在 2030 财年，将纳米压印相关业务的营收，提升至 40 亿日元（约 1.8 亿元人民币）。

你说说看，1.8亿人民币的收入，就能让替代EUV么，制造1.4nm芯片么，一台好一点的DUV光刻机，都是几亿人民币，所以大家散了吧，看看就好，真正大规模的芯片制造，还是老老实实的研发EUV才是最靠谱的方案。