俄亥俄州立大学购入爱思强 CCS 系列 MOCVD 系统，推动 100 毫米晶圆上氧化镓（GaOx）与铝镓氧化物（AlGaOx）外延技术研发，助力下一代宽禁带及超宽禁带器件创新

俄亥俄州立大学（OSU）已从爱思强公司（AIXTRON SE）采购一套近耦合喷淋头式金属有机化学气相沉积（CCS MOCVD）系统。该设备将用于 100 毫米衬底上氧化镓（GaOx）和铝镓氧化物（AlGaOx）的先进外延生长，支持相关材料与器件的研发工作。

这套尖端 MOCVD 系统正为宽禁带及超宽禁带器件的技术革新提供助力。爱思强 CCS 系列 MOCVD 系统以高可靠性和卓越性能著称，能够沉积高质量、高均匀性的薄膜，适用于多种化合物材料体系。与传统半导体材料相比，氧化镓及其合金在高电压、高频率和高温环境下表现出更优异的性能。借助这一新设备，俄亥俄州立大学的研究人员将能够深入探索这些材料的特性，开发新型器件结构，并推动半导体技术的边界拓展。

“过去，我们曾使用爱思强 CCS 系列反应腔进行砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）材料的相关研究，收获了极佳的体验。他们的反应腔在尖端均匀性、高材料质量和宽工艺窗口方面享誉全球 —— 在氧化镓（GaOx）和铝镓氧化物（AlGaOx）领域，爱思强也充分展现了这些优势。我们期待与爱思强携手，利用这套设备开发新型超宽禁带外延层及器件，” 俄亥俄州立大学研究副校长助理、该校材料与制造研究所（IMR）执行董事史蒂文・A・林格尔（Steven A. Ringel）教授表示，“我们特别重视该平台为我校及合作伙伴提供的可扩展性，同时它能立即支持最大 4 英寸（100 毫米）晶圆的工艺研发。因此，我们期待与爱思强共同迈向新的发展阶段。”

爱思强公司（AIXTRON SE）首席执行官费利克斯・格劳特（Felix Grawert）博士表达了合作愿景：“我们很高兴宣布与俄亥俄州立大学及知名学者赵洪平（Hongping Zhao）教授、西达尔特・拉詹（Siddarth Rajan）教授、史蒂夫・林格尔（Steve Ringel）教授达成合作。我们的 CCS 系列 MOCVD 设备在支持前沿学术研究与无缝衔接一线工业应用方面始终表现出色。氧化镓技术的发展前景广阔，有望引领下一代功率器件的革新，对此我们满怀期待。此次合作彰显了我们推动半导体行业创新及研发进步的坚定承诺。”

这套支持 100 毫米氧化镓（Ga₂O₃）外延的 MOCVD 反应腔将安装于 “西纳米技术实验室”（Nanotech West Lab）—— 该实验室面积达 3500 平方米，是服务于俄亥俄州立大学半导体及材料领域研究群体的共享用户设施。实验室由材料与制造研究所（IMR）运营管理，该跨学科研究机构为俄亥俄州立大学重点研究领域的大型科研设施提供基础设施支持、技术开发及运营管理服务。

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