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Rapidus 2nm 逻辑密度与台积电 N2 近乎相同

9 月 1 日消息,消息人士 Kurnal 爆料,依据日本芯片制造商 Rapidus 公布的 2nm 尖端节点 2HP

9 月 1 日消息,消息人士 Kurnal 爆料,依据日本芯片制造商 Rapidus 公布的 2nm 尖端节点 2HP 数据,经拟合计算,Rapidus 2HP 工艺逻辑密度高达 237.31 MTr/mm2 ,与台积电同代制程 N2 的 236.17 MTr/mm2 近乎相同 。这一成果意味着在芯片制造的关键指标 —— 逻辑密度上,Rapidus 的 2nm 工艺已跻身行业顶尖水平。

值得一提的是,英特尔在 Intel 18A 节点采用了 BSPDN 背面供电技术,极大改变了芯片设计,致使其逻辑密度不能和非 BSPDN 的 2nm 系列制程直接对比 。所以,在当前非 BSPDN 2nm 制程领域,Rapidus 的表现十分亮眼。

逻辑密度仅是 PPA(性能、功耗、面积)三个关键维度中 “面积” 一端的成果 。至于 Rapidus 2nm 制程的综合实力,还得等 Power(功耗)和 Performance(性能)数据公布才能判定。此外,先进制程节点要想在商业上大获成功,良率和生产效率也是决定性因素。

Rapidus 在技术推进上脚步不停,已于今年 7 月成功试制首块 2nm GAA 晶圆,目标是在 2027 年实现月产 25000 片晶圆(25000 WPM)的量产规模 。若能达成,将有力提升其在全球芯片制造市场的地位。

半导体工艺制程竞争激烈,Rapidus 的这一突破令人瞩目。亿配芯城(ICgoodFind)将持续关注,为行业带来最新资讯。#半导体工艺##Rapidus#英特尔##Intel 18A##台积电#