重要突破！中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付
重要突破！中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，股票代码：688012）正式发布其全新产品——Primo Matrix®双反应台等离子体晶圆切割设备，并宣布首台设备已顺利付运国内重要集成电路封装客户。中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付现场随着先进封装技术成为延续摩尔定律的重要路径，晶圆切割作为封装工艺中的关键环节，直接影响芯片良率与生产效率。针对先进封装对高精度、低损伤、窄切割道的迫切需求，中微公司在等离子晶圆切割设备领域取得重要突破，此次发布的新品Primo Matrix®系列是公司在先进封装领域等离子体切割赛道的核心自主成果，并为该路线国产化落地增添强劲的头部方案选择。
中微公司Primo Matrix®中微公司Primo Matrix® 采用在量产已得到充分验证的Primo TSV®的等离子体深硅刻蚀技术，集成双反应台刻蚀腔室及晶圆传输模块，兼具高产能、高精度、低成本和灵活的工艺适配能力。此设备兼容带框架200mm、300mm晶圆高效率切割需求，在满足加工性能的同时，实现高产能，高设备集成度与低生产成本。在切割精度方面，此设备可适用于最小到5μm的不同切割道宽度工艺，大幅减少晶圆面积损耗，提升有效芯片产出，满足芯片微型化趋势下的高精度晶圆切割需求。在工艺兼容性方面，此设备支持25–700μm晶圆厚度范围，覆盖超薄晶圆与常规厚度晶圆的切割需求，适用于晶圆减薄后切割及多种先进封装工艺。同时，设备以300mm晶圆为主要加工平台，向下兼容200mm晶圆切割工艺，提升了在不同尺寸晶圆生产线中的应用灵活性。Primo Matrix® 依托中微公司成熟的 Primo 平台打造，系统最多可搭载 6 个刻蚀反应台，适配长工艺时间需求，为客户实现高产能生产。此外，Primo Matrix® 支持带凸点晶圆正面等离子体切割、激光开槽后等离子体切割及晶圆背面刻蚀等典型工艺，满足不同晶圆结构、工艺流程及封装应用需求。此设备同时具备介质层等硬掩膜开口刻蚀能力，可适配具有介质层及复杂表面结构的晶圆加工需求，进一步拓展了其工艺应用范围。
该产品的成功发布与付运，不仅进一步丰富了中微公司在先进封装设备领域的产品矩阵，更有力支撑了集成电路封装产业在先进工艺节点上的技术攻坚，为客户实现更高性能、更小尺寸的芯片封装提供了关键工艺设备保障。
目前，中微公司刻蚀设备全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，全面覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀应用。介质刻蚀达到60比1、90比1的极高深宽比，硅刻蚀达到140比1的极高深宽比，已经达到国际一流水平。公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术，已经达到0.2纳米的单原子水平，相当于一根头发丝直径的30万分之一。
经过长期深耕与技术攻坚，中微公司已经累计开发出54种高端半导体设备，其中包括26种细分的单反应台反应腔和双反应台可单台独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机，还包括24种薄膜设备，如各种MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备和CMP及先进封装、光学量检测设备等。截至2026年9月底，中微公司已累计超过9300个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度、量产适配性获得全球市场充分验证，平台化商业化布局成果丰硕。