2026年前三季度，受AI算力需求催化，半导体行业景气度持续走高，存储成为其中表现最为亮眼的赛道之一。佰维存储、德明利、君正股份、东芯股份等A股上市公司前三季度净利润均创历史同期新高。记者注意到，三季度以来，尽管存储涨价的速度正在放缓，但多家机构研判行业景气并未见顶，存储行业的增长逻辑正从传统消费电子需求驱动，逐步转向AI算力需求与存储技术升级共同驱动。
存储上市公司业绩密集兑现
本轮三季报最具冲击力的数字来自DRAM（动态随机存取存储器）原厂长鑫科技。前三季度，公司实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归母净利润为1320.40亿元，上年同期为亏损52.80亿元。其中，第三季度单季实现营业收入1187.14亿元，同比增长613.18%，环比增长约19.30%；归母净利润为544.35亿元，同比扭亏为盈。
长鑫科技表示，得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素，全球DRAM产品供不应求，叠加公司产能建设和产品结构不断优化完善等因素，带动公司产品销售数量和销售价格大幅上涨，相应营业收入大幅增长。此外，公司产品单位成本随着规模效应持续显现及精益生产管理等而下降，产品毛利大幅上升。公司第三季度毛利率约为89.53%，较上季度增长约1.94个百分点。
模组环节的龙头厂商同步兑现了高业绩弹性。三季报显示，前三季度江波龙实现营业收入387.18亿元，同比增长131.37%；实现归母净利润143.22亿元，同比增长1909.68%。其中，第三季度公司实现营业收入146.30亿元，同比增长123.74%；实现归母净利润37.45亿元，同比增长436.60%；实现扣非归母净利润41.62亿元，同比增长832.09%。环比来看，江波龙第三季度单季营收较二季度微涨，但第三季度归母净利润环比二季度的67.15亿元下降约44.2%。
江波龙表示，2026年第三季度，全球存储器市场供需格局总体仍然偏紧，但受前期较高价格基数影响，DRAM和NANDFlash价格涨幅较前期明显收窄，存储晶圆价格上涨对公司盈利的边际贡献显著趋缓。
德明利前三季度实现营收285.55亿元，同比增长328.81%；实现归母净利润87.46亿元，同比扭亏为盈。德明利称，报告期内存储行业景气度高，公司在供应链稳定的同时加码研发、推出自研主控，丰富产品矩阵、优化产品结构，公司企业级存储业务收入规模及收入占比进一步提升。
利基存储与配套芯片环节方面，兆易创新前三季度实现营收202.97亿元，同比增长197.11%；实现归母净利润110.66亿元，同比增长921.55%。公司表示，存储芯片行业供给紧张，公司存储芯片产品量价齐升。
内存接口芯片龙头澜起科技第三季度单季业绩亮眼。三季报显示，公司第三季度单季营收为20.79亿元，归母净利润为12.40亿元，同比分别增长45.97%和161.98%，双双创下公司单季度历史新高。澜起科技称，AI推理及Agent应用带动服务器CPU需求提振。在此背景下，2026年第三季度，公司依托行业龙头地位，DDR5内存接口及模组配套芯片出货量同比大幅增加，DDR5第三、第四、第五子代RCD（寄存时钟驱动器）芯片出货占比进一步提升，推动公司经营业绩同比大幅增长。公司同时披露，截至10月26日，预计在第四季度交付的互连类芯片在手订单金额达25.0亿至27.9亿元。
此外，前三季度，佰维存储实现归母净利润87.68亿元，同比增长28728.12%；君正股份归母净利润为26.16亿元，同比增长922.95%；东芯股份归母净利润为14.89亿元，同比扭亏。
AI基建重构供需结构
本轮存储景气与以往由消费电子驱动的涨价周期的不同之处在于，需求引擎从库存回补切换为AI算力刚需。AI基础设施投资持续增长，为存储市场提供了新的需求增量。
与传统消费电子主要围绕手机、个人电脑等终端需求波动不同，AI大模型训练和推理需要处理海量数据，服务器平台升级也对内存容量、带宽和存储性能提出更高要求。高带宽内存、服务器DRAM以及企业级SSD（固态硬盘）等产品的重要性不断提升，存储行业的需求结构由此发生变化。
据Gartner测算，单台AI服务器的DRAM需求是传统服务器的8至10倍。随着大模型推理需求放量，推理过程产生的大量中间数据需要被存储和高频调用，将直接拉动HBM（高带宽内存）、服务器DRAM与企业级SSD这三条产品线的需求增长。美银预计，HBM市场规模将从当前的约350亿美元扩张至2030年的2460亿美元。并且，该行将2026年全球云厂商资本支出预测上调至超8000亿美元，同比增长67%；2027年有望突破一万亿美元。
价格端走势印证了供需的紧张程度。美银9月发布的存储器产业报告称，渠道调研显示，2026年第三季度，多数DRAM产品平均售价环比上涨20%至30%，NAND涨幅超过15%。TrendForce集邦咨询预测，2026年第四季度，一般型DRAM合约价预计环比上涨10%至15%，NANDFlash合约价预计环比上涨15%至20%，服务器内存仍面临供不应求局面。
国信证券指出，国产存储有望迎来产业升级期。在供给端，三星、SK海力士、美光三大原厂将资本开支与有限的晶圆产能全力向HBM、DDR5以及AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场，这为国产存储产业链打开了导入窗口。在2DNAND与传统DDR4利基市场，国产存储厂商有望填补需求缺口。
存储价格涨幅放缓高端产能价值凸显
值得注意的是，存储涨价的速度正在放缓。群智咨询发布的存储价格风向标报告显示，三季度，部分存储芯片环比涨幅已收窄到10%以内。TrendForce预测，第四季度，MobileDRAM（移动内存）、ConsumerDRAM（消费型内存）合约价涨幅将较三季度有所收敛。
但在多家机构看来，涨幅收敛并不等于周期见顶。美银将2027年至2028年DRAM均价预期上调8%至12%，将2030年全球内存市场规模预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元，并预测2027年至2030年DRAM与NANDFlash的销售额年复合增速达21%。高盛判断，全球DRAM、NANDFlash、HBM三大存储芯片将持续供不应求，缺口将持续至2027年下半年。
对于A股存储产业链而言，还存在一条独立于海外周期的国产化主线。9月20日，长鑫科技第五代DRAM技术平台正式量产。10月10日，公司进一步宣布预计年底推出融合4F2架构及混合键合技术的新一代DDR5RDIMM产品——DRAM行业主流架构仍为6F2，长鑫科技围绕该方向公开专利族已超300件。
国家发展改革委披露的数据显示，上半年，国内主要晶圆代工企业产能利用率均保持在90%以上。国家统计局数据显示，2026年前7个月，集成电路行业利润同比增长18.5倍。长鑫科技、长江存储的产能扩张，有望带动北方华创、中微公司、拓荆科技等国产设备商批量导入，从“点状突破”走向“系统推进”。
业内人士指出，从更长周期看，本轮存储超级周期的底层逻辑是AI对存储定位的重塑——存储不再是大宗周期产品，而是与GPU并列的算力基础设施核心部件。对于存储企业而言，如何在景气上行期提升高端产品能力、夯实现金流，并合理安排产能与库存，将成为下一阶段的重要课题。（实习生孙恺禾对本文亦有贡献）