💥半导体大事件｜美光官宣放弃4F² DRAM，押注3D DRAM🔥
📅新闻时间：10月22日
🏢企业：美光 Micron
📢发布场合：2026美光年度技术网络研讨会

🔍先简单科普
▪️6F²：现在DRAM主流平面存储单元架构
▪️4F²：理论上单元面积更小，提升存储密度，行业多年研究的下一代平面DRAM路线
▪️3D DRAM：垂直堆叠架构，不再单纯横向缩小芯片

✅美光核心观点
▪️历时20多年研究，判定4F² DRAM没有可行规模化扩展路径
▪️路线选择：改良6F² DRAM作为过渡，终极路线是3D DRAM

📌行业看点
▪️DRAM大厂路线分化❗不同存储厂商选择不一样
▪️长鑫存储、三星、SK海力士仍在推进4F²相关研发
▪️美光选择直接跳转到3D DRAM垂直架构

🚀产业价值
3D DRAM一旦量产，有望解决AI服务器内存墙
为大模型提供更高容量、更高带宽的内存
同时带动晶圆键合、High NA EUV等高端半导体设备需求

⚠️风险提醒
3D DRAM还处在研发阶段，距离量产还有很长时间
良率、散热、成本都是巨大工程挑战
美光 4F²DRAM 6F²DRAM 3DDRAM