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【#长鑫美光产生分歧#】10月22日消息,据第一财经,美光科技(MU.O)在当地时间10月21日召开的技术研讨会上,回应了一些外界近期关心的问题。 在DRAM(动态随机存取存储器)架构上,长鑫存储本月早些时候推出4F²。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多,且一定程度摆脱了工艺瓶颈, ​

【长鑫美光产生分歧】10月22日消息,据第一财经,美光科技(MU.O)在当地时间10月21日召开的技术研讨会上,回应了一些外界近期关心的问题。

在DRAM(动态随机存取存储器)架构上,长鑫存储本月早些时候推出4F²。该架构据称单位面积晶体管数量可比目前主流的6F²架构更多,且一定程度摆脱了工艺瓶颈,推出后受到海外关注。

此次美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer(斯科特·德波尔)回应称,美光将沿着6F²路径并开发3D DRAM,不做4F²,理由是复杂度与成本上升。

Scott DeBoer还形容了存储技术演进和需求增长的速度之快:从H100到B300,单GPU的HBM用量增长了3.6倍;参照1995年保时捷911的价格和配置,以存储的速度演进,2026年将是270万马力、价格5美元。各位网友,您怎么看?(第一财经)