长江存储已投入其30%的研发人员，目标是占据20%的NAND闪存市场份额

中国唯一一家大规模生产NAND闪存的制造商长江存储技术股份有限公司（YMTC）申请在上海科创板上市，该公司提出的数据是研发投入规模和NAND市场份额目标。

从2023年到2025年，长江存储累计投入研发142亿元人民币（占营收的5%以上）。研发人员数量为4796人，占员工总数的30%以上，注册发明专利数量达到5611项。

据Counterpoint Research预测，到2026年第二季度，长江存储的NAND闪存出货量市场份额将达到16.5%。长江存储已设定长期目标，将这一份额提升至20%。

长江存储正将其堆叠技术 Xtacking 的应用范围从 NAND 闪存扩展到 DRAM。自 2025 年 10 月起，该公司一直在 Fab 2 工厂进行第二代 16Gb LPDDR5 (7500MT/s) DRAM 的研发和测试，月产量约为 5000 片晶圆，尽管尚未采用高介电常数金属栅极 (HKMG) 工艺。

随后，该公司正在开发采用垂直沟道晶体管 (VCT) 4F2 单元结构的 9600MT/s 版本，并计划在 Fab 3 工厂进行量产。

Counterpoint Research研究副总裁 Neil Shah预测：“从长远来看，3D DRAM 最终将成为行业必须发展的方向。”他补充道：“YMTC 已经证明了其堆叠晶圆键合技术的优势，在这一转型过程中处于有利地位。”

展望未来，主要有三大因素。首先是DRAM业务的执行能力，9600MT/s VCT 4F2 LPDDR5的质量认证以及Fab 3工厂的量产进展预计将成为衡量标准。

其次是出口管制风险。自2022年12月以来，长江存储一直被列入美国商务部的贸易限制名单，而《MATCH法案》更是专门针对长江存储，旨在限制其X堆叠技术路线图所依赖的深紫外光刻、蚀刻和沉积设备。

第三是产能扩张。关键问题在于，能否通过将晶圆产能（包括DRAM）提升至每月约50万片，来实现此前设定的20%的市场份额目标。

长江存储的核心竞争力在于其专有的X堆叠技术。该技术在不同的晶圆上分别制造存储单元阵列和外围逻辑电路，然后将它们组合在一起，其特点是能够对每一层应用优化的工艺。

得益于此方法，长江存储仅使用成熟的工艺即可持续增加薄膜层数，无需最先进的光刻设备。在先进设备因美国出口管制而难以引进的情况下，这被认为是一项决定性的竞争优势。

副总裁尼尔•沙阿表示：“武汉总部一楼的专利墙最直观地展现了公司的技术实力。”他补充道：“即使使用成熟的光刻设备，也能构建多层结构，这在当前出口管制环境下是一项决定性的优势。”他还表示：“三星电子于2025年2月获得长江存储X堆叠专利的授权，这无疑是对这项技术最权威的验证。”

长江存储（YMTC）武汉总部一楼竖起了一面“专利墙”，以实物展示其自主知识产权。Counterpoint Research 在对长江存储的行业分析报告中指出，这与一些DRAM竞争对手形成鲜明对比，后者不得不与竞争对手就专利诉讼展开激烈竞争。科技长江存储