有意思！路透从4名知情人士处获悉：三星和SK海力士，正在升级它们的中国工厂，以满足生产更先进的存储芯片的要求！

我给你们翻译一下潜台词：事实上它们已经开始畏惧中国本土强势崛起的长江和长鑫了，所以想靠不断提升制程&性能上限来提升竞争力。

当然，这事情也不会一帆风顺，因为还需要获得华盛顿方面（即它们的‘美国爹’）的批准……

以SK海力士为例，它们计划将其中国大连工厂转为生产240层及以上NAND产品。该工厂目前生产192层产品，系2021年收购英特尔NAND业务所得，现为独立子公司Solidigm的唯一NAND制造基地，知情人士称，SK海力士获授权在大连生产最高240层芯片，或寻求华盛顿批准在当地研发300层以上芯片。

为啥它有这个升级意愿呢？因为我们的长江存储早已实现267层3D NAND量产，并基于自研Xtacking架构积极推进300层以上产品研发。据悉，其超300层产品X5-9080计划于2026年下半年启动量产。

然后三星位于中国西安的工厂目前生产约200层芯片，已然是明显‘落后‘了，但该厂产能占据了其全球NAND闪存产量约40%，据知情人士称，作为内部代号“Monami”项目的一部分，三星正将该设施改造为生产286层V9 NAND芯片，目标今年12月月产5000片晶圆，2027年12月跃升至4万片。

三星表示升级符合美国出口法规，旨在满足包括美国客户在内的全球客户需求，并非扩产或新建设施。

我来翻译一下，当然符合咯，要知道三星用于它第10代V-NAND（层数420-430）生产的其中一项关键技术就源自2025年从长江存储获得的Xtacking架构专利授权，再不升级一下V9，跟长存、SK海力士等竞争对手的NAND相比，在中国本土或全球市场，还有个P的竞争力？