🔴 美银：因为没有 EUV，长鑫推进 4F² 的速度可能比三星、海力士、美光更快

🕒 时间：2026年10月14日 07:50:14（北京时间）

大白话理解总结：美银对长鑫的 4F² 架构给出了一个反直觉的判断——因为受美国制裁、无法进口 ASML 的 EUV 光刻设备，长鑫向 4F² 架构推进的速度可能比三大 DRAM 制造商更快。三大厂已经在 10 纳米中低节点转向基于 EUV 的 6F² 设计，对 4F² 研究了十多年却一直避免大规模生产，原因是低良率、高昂成本与技术挑战。

信息来源：美银（Bank of America）评论（10 月 13 日）

市场影响程度：中等偏高（它把「被制裁」从一个纯负面因素，重新解释成了技术路线上的强制分岔）

一句话总结：有退路的人不急着冒险，没有退路的人只能往前推。

先把美银的说法完整摆出来。由于美国制裁，长鑫无法进口 ASML 的 EUV 光刻设备，因此它向 4F² 架构推进的速度可能比三大 DRAM 制造商更快。这一点听起来别扭，但逻辑是通的——三大制造商已经在 10 纳米中低节点上转向基于 EUV 的 6F² 设计，而 4F² 虽然被研究了十多年，却一直避免大规模生产。

为什么不生产？美银列了三层原因：低良率、高昂的成本，以及技术挑战本身——把数十亿个晶体管和电容器集成到紧凑的芯片中，会带来极高的温度和结构脆弱性。换句话说，4F² 不是不知道怎么做，而是做出来的代价与风险都太高，在有更稳妥路径的情况下没人愿意先跳。

这就带出了分岔的实质。手里有 EUV 的厂商，可以继续沿着「EUV 加缩小节点」的路径推进 6F²，这条路他们已经走顺了；4F² 对它而言是需要用良率和成本去换的进阶选项，所以有理由等。而没有 EUV 的厂商恰恰相反——最省事的那条路被堵住了，要提高存储密度，就只能靠单元结构的创新，也就是 4F² 这类路线。所谓「更快」，不是因为技术更强，而是因为选择更少。

行业的坐标也能对上。SK 海力士已经把 1d 节点确定为最后一个 6F² 架构，产业公认的下一步就是 4F²；此前公开的性能测算显示，4F² 相比现有产品的性能提升幅度接近 50%，而它的工程难点在于纵横比显著上升、制造工艺随之复杂化
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