天岳先进

● 功率半导体关联：SiC衬底核心，6/8/12英寸研发与量产并行，12英寸技术突破面向车规功率与工业器件。衬底是SiC成本与缺陷率的第一道关口。● 主要产品与服务：导电型/半绝缘SiC衬底、8英寸批量、12英寸样品、外延用单晶片。提供车规MOS衬底、光伏/储能二极管衬底、射频衬底。● 主要客户：SiC外延厂、器件厂、车规IDM；行业材料提其8英寸稳定批量、临港一期约40万片/年、二期12英寸规划推进，并配套多家客户， 具体供贷比例以公告为准。● 核心竞争力：一是大尺寸降本。8英寸单片出芯数高于6英寸，12英寸进一步摊薄；衬底良率决定器件厂MOS成品率。二是缺陷控制。微管密度、位错、表面粗糙度影响SiC MOS沟道迁移率，长期晶体生长数据是核心资产。三是车规客户绑定。车规主驱要求零缺陷管理，衬底厂与器件厂联合认证周期长，先入者替换成本高。● 近一年涨幅：2025年10月10日至2026年10月9日，股价从82.16元涨到了97.54元，近一年涨幅18.72%。● 综合看点：看12英寸衬底中试转批量、8英寸车规客户份额、临港产能利用率；天岳重“SiC衬底良率”，不按器件模块厂估值。