国产存储技术取得重大突破

长鑫存储总裁曹堪宇在10月10日的第四届集成芯片和芯粒大会上透露，公司自研4F² DRAM 架构研发取得阶段性关键进展，并宣布将推出采用这项技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

目前行业主流是6F²架构，而4F²是全球公认的下一代内存核心技术。这项技术就是把内存里的存储单元做得更小、更紧凑。旧技术的晶体管是平铺摆放，4F²改成垂直竖立，相当于把“躺着”的元件站起来，不占平面空间，同等芯片面积下，存储容量能提升30%–50%。同时长鑫自研的包围式栅极结构，能牢牢锁住电流，解决芯片漏电通病，不仅大幅降低内存功耗、更省电，还能让数据留存更稳定，适配服务器等高要求场景。

这项突破对行业影响很大，打破了传统内存靠缩小制程迭代的瓶颈，全新工艺体系给国产内存开辟了新升级路径。长鑫目前手握超300项相关专利，技术布局领跑全球。叠加其混合键合技术，进一步突破芯片制造限制。目前长鑫全球DRAM市占率7%，位列全球第四，这次4F²技术突破也将进一步缩小国产存储与国际顶尖厂商的差距。