【长鑫存储第五代DRAM进入量产 中韩存储竞争升温】中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）加快追赶步伐。随着第五代（G5）DRAM技术平台进入量产阶段，其在通用及移动DRAM市场的竞争力受到关注。尽管三星电子、SK海力士在高带宽存储器（HBM）等高附加值领域仍保持优势，但随着中国厂商持续推进技术升级和产能扩张，通用及移动DRAM市场竞争或进一步加剧。

韩国半导体业界22日消息显示，长鑫存储日前宣布第五代DRAM技术平台正式进入量产阶段，其G5 DRAM将存储阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。

在难以获得最先进极紫外光刻（EUV）设备的情况下，长鑫存储通过四重图形化技术推进制程微缩。以8Gb芯片计算，第五代平台单片晶圆可生产的裸片数量较第四代增加50%以上。不过，制程升级能否最终转化为成本和市场竞争力，仍取决于量产良率、生产规模及制造成本。

长鑫存储同时加快拓展移动DRAM市场。此次公司还发布两款基于第五代平台生产的24Gb LPDDR5X产品。LPDDR5X主要应用于智能手机等移动设备，显示其产品布局正进一步向移动DRAM领域延伸。

韩国厂商则继续向先进制程和高附加值产品集中。三星电子和SK海力士正在扩大10纳米级第六代1c DRAM应用。由于各企业DRAM工艺代际划分标准不同，代际名称并不能完全反映技术差距。目前，韩国企业在先进制程及高端DRAM领域仍保持优势。

尤其在人工智能（AI）需求快速增长的HBM市场，中韩企业之间仍存在明显差距。三星电子和SK海力士正推进新一代HBM4量产及商业化，而长鑫存储目前在这一高端市场的布局仍相对有限。

相比高端市场，长鑫存储在通用及移动DRAM领域的扩张更受韩国业界关注。近年来，三星电子和SK海力士持续将投资重心向HBM、高容量服务器DRAM等高附加值产品倾斜。如果长鑫存储进一步扩大通用及移动DRAM产能，可能对相关市场供需和价格形成影响。

特别是随着中国智能手机和个人电脑厂商扩大国产DRAM采购，中国存储厂商在本土市场的份额可能进一步提升，韩国企业在中国通用DRAM市场面临的竞争也将随之加剧。

韩国业界还关注，DRAM市场是否会出现类似此前液晶显示（LCD）行业的竞争格局变化。随着中国企业持续扩大LCD产能，韩国显示企业逐步退出大型LCD业务，并转向OLED等高附加值领域。不过，与LCD相比，DRAM在制程微缩、良率控制和资本投入方面门槛更高，HBM和服务器DRAM等先进产品还涉及客户认证、先进封装等多个环节，因此目前尚难判断DRAM市场会复制类似路径。

业内认为，短期来看，长鑫存储与韩国厂商在高端DRAM领域仍存在差距，但随着其通用及移动DRAM产能扩大，中国本土市场的竞争可能率先加剧。未来量产良率、制造成本及大规模生产稳定性，将成为观察长鑫存储市场影响力的关键指标。