一文看懂离子注入-从离子束、结深到退火激活
把硼、磷或砷离子打进硅里，就完成掺杂了吗？还差得很远。离子注入首先要在离子源中产生带电粒子，再通过质量分析选择目标离子，经过加速、聚焦和扫描，把规定剂量送到晶圆指定区域。

更关键的是，注入会打乱晶格。注入后的原子也不一定已经进入能贡献载流子的有效晶格位置，因此通常还需退火修复损伤并激活掺杂。

但退火并非越强越好：提高激活和降低片阻的同时，也可能引起扩散、结深增加、瞬态增强扩散或残余缺陷演化。需要把束流剂量、SIMS、片阻/Hall、缺陷与器件电性放在一起判断。
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