【国产存储追上来了！长鑫第五代平台量产 11.95纳米 晶圆产出提升50%】9月20日，据“上海证券报”报道，长鑫存储在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）正式量产，同步展出两款基于该平台打造的LPDDR5X产品。

技术指标上，G5平台多项工艺比肩全球顶尖水平。其依托创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程；存储电容深宽比达45:1；核心功能区高度缩小至6762纳米。研发过程中，长鑫存储还创造了贯穿设计、开发、制造、维护全生命周期的数字孪生系统，加速研发进程。

存储密度实现跨越式提升。据官方介绍，G5微缩工艺推动每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

此次展出的两款LPDDR5X量产产品单颗容量均为24GB，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等场景。据长鑫科技半年报，LPDDR5/5X内存芯片已进入小米、传音等品牌供应链，车规级LPDDR5X产品也已量产推向市场。

长鑫存储在大会上表示，未来将持续面向全球市场需求推进技术迭代，为全球数字产业发展提供坚实的底层存储支撑。

长鑫科技8月28日发布的半年报显示，期内营收1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，去年同期为亏损23.3亿元。公司于7月27日正式登陆科创板。