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韩国🇰🇷 : 中美两国激烈争夺通用DRAM和HBM市场 三星和SK的“内存双雄”格局或将面临冲击 【今日电子】报道 CXMT和美光在盈利能力方面表现优异,市场份额不断扩大;韩国DRAM市场份额总和下降3个百分点。 在全球内存市场,三星电子和SK海力士一直占据主导地位,而中国的长信存储器(C

韩国🇰🇷 : 中美两国激烈争夺通用DRAM和HBM市场 三星和SK的“内存双雄”格局或将面临冲击

【今日电子】报道 CXMT和美光在盈利能力方面表现优异,市场份额不断扩大;韩国DRAM市场份额总和下降3个百分点。

在全球内存市场,三星电子和SK海力士一直占据主导地位,而中国的长信存储器(CXMT)和美国的美光科技正在加速布局。国内企业专注于人工智能(AI)所需的高带宽内存(HBM)等高科技产品,中国正以通用DRAM为核心扩大规模,而美国似乎也在通过大规模的工厂投资来提升其HBM产能。
据业内人士及外媒19日报道,CXMT今年第二季度在存储器行业录得最高的营业利润率,达到82%,美光以80.4%位居第二。这些数字均高于SK海力士(76.3%)和三星电子半导体事业部(70%)此前创下的历史新高。

在DRAM市场,三星电子和SK海力士分别以39.4%和24.9%的市场份额保持第一和第二的位置。然而,两家公司合计市场份额从第一季度的67.3%下降至第二季度的64.3%,下降了3个百分点。

同期,美光的市场份额从22.4%上升至23.3%,与SK海力士的差距从6.4个百分点缩小至1.6个百分点。 CXMT的市场份额也从7.6%提升至9.5%,打破了目前三家公司主导的市场格局。CXMT的市场份额扩张计划原预计在2028年左右达到10%,但现在预计这一目标将提前两年左右实现。

CXMT通过首次公开募股(IPO)筹集了14万亿韩元资金,并着手扩大产能。该公司正式宣布量产下一代移动DRAM——LPDDR6,并开始测试第五代HBM——HBM3E。评估显示,中韩企业在HBM、DRAM和NAND闪存方面的技术差距已分别缩小至三年、两年和一年。

在HBM市场,美光科技的竞争已成为一个关键因素。今年第二季度,SK海力士的市场份额为50%,三星电子为33%,美光科技为18%。美光科技计划将其HBM晶圆产能从去年的每月4万至5万片提高到今年年底的每月10万片。三星电子和SK海力士的晶圆产能分别估计为每月15万至20万片。

美光科技的HBM4芯片在第二季度开始量产,营收突破10亿美元,预计到年底,其HBM4产能将占到总产能的一半以上。今年的资本投资计划也增加了35%,从原先的200亿美元增至270亿美元。

一位业内人士表示:“虽然中国企业的成本竞争力仍然落后于韩国企业,但供应短缺和需求过剩带来了增长机遇。”他补充道:“如果存储器市场持续繁荣,来自有政府支持的中美企业的威胁也将加剧。”