之前行业里默认中韩存储的整体技术代差在5年左右,很多人都觉得要追上至少得熬个十来年,结果这几年国产厂商闷头猛冲,直接把差距砍到了几乎贴脸的程度。
韩国半导体产业协会最新的评估里,NAND闪存差距已经缩到1年,DRAM差2年,就连最难啃的HBM也只剩3年。2025年三星、SK海力士刚量产300层NAND的时候,长江存储同期就拿出了270层的产品,长鑫也同步搞定了DDR5量产。按规划2027年长存要冲400层NAND,到时候NAND赛道的代差基本就快抹平了。现在消费级、企业级SSD里国产存储已经批量导入。
之前行业里默认中韩存储的整体技术代差在5年左右,很多人都觉得要追上至少得熬个十来年,结果这几年国产厂商闷头猛冲,直接把差距砍到了几乎贴脸的程度。 韩国半导体产业协会最新的评估里,NAND闪存差距已经缩到1年,DRAM差2年,就连最难啃的HBM也只剩3年。2025年三星、
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