半导体重磅利好消息来了！
国内存储技术进步太快了，差距从5年缩短至1年，韩国半导体产业协会都慌了

最新消息，韩国半导体产业协会给出了一份评估，量化国内存储芯片和韩国大厂之间的技术差距。
NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM差距还有3年。放在以前，整体差距常年维持在5年上下，追赶速度肉眼可见。

NAND这块，三星、SK海力士2025年量产300层产品，长江存储同期做到270层。
按照规划，2027年长存会冲到400层，和韩企差距压缩到1年。

DRAM方面，三星、SK海力士2023年落地DDR5，长鑫存储2025年跟上，时间差2年。
目前长鑫已经量产LPDDR5X，LPDDR6也已经启动研发。

HBM依旧是短板，差距3年。长鑫才刚开始试产HBM3E模块，良率大约25%，TSV硅通孔工艺还有不少难题要攻克。

这份数据出自韩国行业协会，参考价值很高。
存储芯片国产替代的进度持续提速，会带动上游设备、光刻胶、特种材料的需求释放，整条产业链都能受益。

这条消息，会给存储板块带来情绪刺激。后续行情能不能持续，要看产能释放和产品良率能不能兑现。