【阿斯麦携手台积电、三星推进新一代EUV光刻技术】当地时间9月8日，荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）宣布，已与台积电、三星电子及英特尔达成合作承诺，共同推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻技术的应用落地。三家企业给出了明确时间表：三星计划2028年率先将High NA EUV用于DRAM大规模生产，台积电将于2030年用于先进逻辑制程，英特尔已率先完成超100万片晶圆处理。

此次合作的核心是推动光掩模版从传统6英寸向12英寸规格升级，以解决High NA EUV因技术特性导致的曝光视场减半问题，满足日益增长的AI大芯片制造需求。阿斯麦首席技术官表示，更大尺寸掩模可将设备产能提升约40%。台积电占阿斯麦营收约16%，其正式承诺被视为关键战略胜利。ai