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研报数据:2026年Q2全球DRAM存储芯片同比增幅达385% 日前,市场研究

研报数据:2026年Q2全球DRAM存储芯片同比增幅达385%

日前,市场研究机构Counterpoint Research发布全球DRAM与HBM市场份额季度追踪报告,揭示了存储芯片市场在人工智能算力需求驱动下的剧烈格局变动。

在DRAM市场,三星电子于2026年第二季度以38%的市场份额稳居全球第一,这已是其连续第三个季度保持领先地位。

SK海力士的DRAM市场份额则经历了相反的轨迹,在一年时间内,SK海力士的DRAM市场份额从领先三星6个百分点,转变为落后三星13个百分点。

美光科技的DRAM份额相对稳定,2025年第二季度为22%,第三季度上升至26%,第四季度回落至22%,2026年第一季度和第二季度分别维持在22%和24%。虽然美光未能撼动前两名的位置,但其份额在2026年第二季度已接近SK海力士,两者差距缩小至仅1个百分点。

长鑫存储(CXMT)的崛起尤为引人注目。其DRAM市场份额从2025年第二季度的4%起步,2025年第三季度增长至5%,第四季度和2026年第一季度均达到8%,到2026年第二季度已攀升至10%。

值得注意的是,2026年第二季度长鑫存储营收同比增长高达716%,远超行业平均水平。

总体而言,从市场规模来看,2026年第二季度的DRAM市场呈现出爆发式增长态势,环比增长57%,同比增幅更是达到385%。这一增速反映出AI基础设施建设和数据中心扩张对存储芯片需求的强劲拉动。