芯闻简讯：三星为英伟达定制8层HBM4E，NVHBM加速落地

《首尔经济日报》报道，三星电子正在为英伟达开发一款8层堆叠的HBM4E高带宽内存，以适配英伟达最新发布的NVHBM定制内存架构。

HBM4E是第七代高带宽内存产品，三星此前已准备了12层和16层版本的HBM4E样品，但英伟达此次明确要求采用8层设计，并将单引脚速度目标设定为17-18Gbps。这一速度要求比三星初始HBM4E样品的14.4Gbps高出约20%，也远超JEDEC行业标准规定的8Gbps。

英伟达于8月26日正式发布NVHBM技术，将其纳入NVLink Fusion生态系统，旨在为超大规模数据中心及AI原生企业提供半定制AI基础设施方案。亚马逊旗下的Annapurna Labs成为首家公开的合作客户，其下一代Trainium4芯片将支持NVLink Fusion架构。

英伟达此次要求三星将HBM4E从12层乃至16层减少回8层，正是对上述行业困境的直接回应。8层设计大幅降低了晶圆减薄和堆叠封装的工艺难度，有助于提高生产良率并扩大有效产能。

NVHBM的核心架构创新在于将内存控制器从传统的XPU计算芯片迁移至HBM堆栈底部的逻辑基板芯片中。英伟达官方数据显示，与标准HBM4E相比，NVHBM可实现最高30%的内存带宽提升、15%的HBM功耗降低，并为XPU计算芯片释放最多25%的额外面积用于计算单元。

此外，NVHBM采用的定制化物理层接口比JEDEC标准HBM4E减少了67%的I/O面积，简化了先进封装中的硅中介层布线复杂度。这款8层HBM4E预计将被用于英伟达计划于2027年下半年发布的下一代AI加速器Rubin Ultra，该平台将采用Kyber机架架构，在单个机架内整合576个GPU计算单元，GPU间互联规模较当前Vera Rubin平台的72路扩展8倍。