研报数据：全球“光学基石”磷化铟基板缺口超70%

磷化铟（InP）是一种III-V族化合物半导体，禁带宽度约1.34电子伏特，具备直接带隙、光电转换效率高的特性，传输速率比砷化镓更快、功耗更低。与之相对，硅属于间接能隙材料，只能负责导光、分光与调制，本身无法高效发光。

业界常用一句话概括两者的关系：“硅负责导光，InP负责发光”——即便在硅光子平台与共同封装光学（CPO）架构中，封装内部仍必须内建磷化铟激光器作为光源，改变的只是激光器的安装位置，并未让它从物料清单中消失。

当前AI数据中心使用的800G、1.6T光模块，无论采用EML、DFB还是泵浦激光器方案，真正提供光源的核心元件多数仍以InP为主要材料。

据爱建证券测算，2026年全球磷化铟基板需求为260万片至300万片，但供应量仅约75万片；机构亦预计2026年行业供需缺口将达到70%。

多家行业媒体给出了方向一致的判断：2026年全球磷化铟衬底需求将飙升至260万片至300万片，行业缺口率超过70%，供应紧张格局或将持续至2028年。

另一家证券机构测算，2025年全球磷化铟衬底需求约60万片至70万片，供需缺口已超70%。