目前国产HBM突破以长鑫存储为核心，由其自研自产HBM3 DRAM裸片与晶圆，后端TSV打孔、晶圆减薄、多层堆叠、2.5D封装由长电科技、通富微电、深科技等国内封测厂联合攻关。

整条产线以前道国产设备为主，搭配管制前存量海外设备，无三星、海力士、美光等海外原厂核心供货。

当前仅处于HBM3风险试产、小批量送测阶段，平头哥、寒武纪正在验证，综合良率仅约25%，距离稳定量产较远；更高阶的HBM3E仍在研发，预计2027年才有望商用。

目前产业链最大卡点仍是高端TCB堆叠键合设备受限，国产设备尚在验证，整体属于国产0—1技术突破，与海外最新HBM4仍存在一代以上代差。