中国成功在其内存晶体管中采用高介电常数金属闸极技术（HKMG），用氧化铪材料替换传统的硅基绝缘层,这一突破为其向更先进的1a制程节点迈进,铺平了关键道路。长鑫存储的DDR6内存芯片已完成研发验证阶段,距离量产又近了一步。

长鑫存储的产能预计将在2026年至2031年间,以每年约10万片晶圆的速度持续攀升,并最终在2031年达到每月高达80万片晶圆的总产能规模。这一数字若能如期实现,几乎相当于该公司当前月产能的四倍，足以令其在全球DRAM市场的份额格局中占据举足轻重的位置。

中国公司目前月产能约为20万片晶圆，而到今年年底,这一数字预计将猛增至30万片，其中还将包含约5万片专供HBM生产的产能。

这家存储芯片厂商目前正在上海与合肥同步建设两座新工厂，一旦投产，其整体产能有望进一步提升至每月60万片晶圆。基于这一扩张节奏,长鑫存储事实上已经步入正轨,预计将在2030年之前，在产量规模上实现对美光的超越。