台积电超大尺寸封装良率冲破90%，12组堆叠能否击碎内存墙？
今年八月中旬台积电超大尺寸晶圆级封装进入量产阶段，量产良品率达到98%以上，底板将硅中介基板面积扩大到4700平方毫米，对应5.5倍光罩尺寸，单颗芯片内部能够整合9类专门工艺芯粒，通过大面积硅基底板互连，系统缩短了计算单元和存储单元之间的信号传输距离，推动万亿晶体管人工智能芯片进入系统级集成新阶段。
面对万卡超算集群的数据吞吐需求，单颗芯片支持并联堆叠12组高带宽存储器，全新架构把接口位宽由1024位提升到2048位，单堆栈数据传输带宽跨越2.0TB/s，实现数十倍于传统内存的吞吐速率，基础底模切换为先进逻辑制造工艺，赋予存储堆栈自主预处理和存算计算能力，让数据在流出前完成计算，缓解了海量参数并行运算时的内存墙拥堵。
面对热机械应力控制难题，工程团队通过系统仿真和玻璃基板实现翘曲抑制超50%，研发人员把基板热膨胀系数调节到硅片同等水平，保障微米级微凸点在高密度堆叠下的电气连接可靠性，国内高端封测企业扩建晶圆级封装平台，联动高纯前驱体材料、专用塑封材料和激光通孔加工装备，推进下一代高算力芯片制造生态演化。